Применение пластин из карбида кремния и будущие тенденции развития
Применение пластин из карбида кремния и будущие тенденции развития
Карбид кремния (Так) является основным направлением развития электропроводниковой промышленности, и его использование при изготовлении силовых устройств позволяет значительно улучшить использование энергии. В обозримом будущем, new energy vehicles will be the main application scenarios of silicon carbide power devices.
Compared with traditional silicon materials, карбид кремния является типичным представителем третьего поколения полупроводниковых материалов. Обладает характеристиками широкой полосы пропускания, высокая термостойкость, high pressure resistance, high frequency, high power and radiation resistance.
It has the advantages of fast switching speed and high efficiency, which can greatly reduce product power consumption, improve energy conversion efficiency, and reduce product volume. It will be the most widely used base material for making semiconductor chips in the future.
Silicon carbide wafers are single crystal flakes formed by cutting, шлифование, polishing and cleaning silicon carbide crystals. В качестве материала полупроводниковой подложки, silicon carbide wafers can be made into silicon carbide-based power devices and microwave radio frequency devices through epitaxial growth and device manufacturing. Это важный базовый материал для развития полупроводниковой промышленности третьего поколения.
Нарезка пластины из карбида кремния SIC Резка пластины с бесконечной петлей из алмазной проволоки
По различному удельному сопротивлению, Пластины из карбида кремния можно разделить на проводящие и полуизоляционные. Среди них, Проводящие пластины из карбида кремния в основном используются для производства высокотемпературных и высоковольтных силовых устройств, а масштабы рынка большие; Полуизоляционные подложки из карбида кремния в основном используются в микроволновых радиочастотных устройствах и других областях. С ускоренным строительством сетей связи 5G, Спрос на рынке значительно вырос.
Карбид кремния имеет широкий спектр применения
Благодаря широкой запрещенной зоне, Его можно использовать для изготовления ультрафиолетовых детекторов или диодов синего света, которые почти не подвержены воздействию солнечного света; Его выдерживаемое напряжение или электрическое поле равно 8 в разы, чем у арсенида кремния и галлия, и он особенно подходит для изготовления высоковольтных и мощных устройств, таких как высоковольтные диоды, Силовые триоды, и мощные СВЧ-устройства.
И имеет высокую скорость миграции электронов насыщения, can be made into various high-frequency devices (radio frequency and microwave);
Silicon carbide is a good conductor of heat, and its thermal conductivity is better than any other semiconductor material, which allows silicon carbide devices to work well at high temperatures.
Карбид кремния (Так) is an ideal material for high-power devices and the first-generation basic material for the semiconductor industry. Currently, more than 95% of the world’s integrated circuit components are made of silicon. With the development of applications such as electric vehicles and 5G, the demand for high-power, high-voltage, and high-frequency devices is rapidly increasing.
When the voltage is greater than 900V, the shortcomings of silicon-based power MOSFETs and IGBTs will be exposed, which will be limited in many aspects such as conversion efficiency, switching frequency, and operating temperature.
Карбид кремния (Так) has a large band gap (3 times that of Si), высокая теплопроводность (3.3 times that of Si or 10 times that of GaAs), high electron saturation mobility (2.5 times that of Si), high breakdown electric field (5 times that of Si or GaAs), и так далее.
It is widely used in extreme environments such as high temperature, high pressure, high frequency, high power electronic devices, аэрокосмический, military industry, and nuclear energy.
